一、结构和工作原理

NorFlash：采用并行结构，每个存储单元都有一个独立的地址线，支持随机访问，适用于执行代码和数据存储。NandFlash：采用串行结构，数据以页的形式进行读写，不支持随机访问，适用于大规模存储和数据传输。

二、读写速度

NorFlash：读取速度较快，可以快速执行代码和加载数据，适用于实时性要求较高的应用。NandFlash：读取速度相对较慢，由于采用页读取，数据的读取速度较NorFlash略慢，适用于对实时性要求不高的大容量数据存储。

三、使用寿命

NorFlash：使用寿命较长，可以支持大量的擦写操作，适用于频繁更新的应用。NandFlash：使用寿命相对较短，擦写次数有限，适用于相对静态的存储场景。

四、擦写操作

NorFlash：支持单字节擦写，擦除速度较快，但需要整块擦写，可能引起数据更新的复杂性。NandFlash：擦写以页为单位，需要先擦除整个页，再写入数据，擦除速度较慢，但擦写粒度较细，有利于数据更新。

五、存储密度

NorFlash：存储密度较低，适用于较小容量的应用。NandFlash：存储密度较高，适用于大容量存储需求，如固态硬盘（SSD）。

六、成本

NorFlash：成本相对较高，适用于性能和寿命要求较高的应用场景。NandFlash：成本相对较低，适用于成本敏感的大容量存储需求。

延伸阅读

NorFlash与NandFlash简介

NorFlash和NandFlash是两种不同类型的闪存存储器。

NorFlash是一种非易失性存储器，具有随机访问的能力。它适用于需要高速读取和执行代码的应用，如嵌入式系统的引导程序。NorFlash还具有较长的擦写寿命和较低的读取延迟，但相对而言容量较小且成本较高。NandFlash是一种高密度的非易失性存储器，适用于大容量数据存储。它采用页式写入和块擦除技术，具有较高的数据存储和擦写速度。NandFlash通常用于移动设备、固态硬盘（SSD）和内置存储等场景，可以提供更大的存储容量和更低的成本。